Не опять, а снова
Intel объявили (в очередной раз) о переносе начала массового производства своих 10 нм процессоров с 2018 на 2019 год. Причина - высокий уровень брака, из-за которого производство продолжает оставаться невыгодным.
Подробнее
Intel First Production 1999 180 nm 2001 130 nm 2003 90 nm 2005 65 nm 2007 45 nm 2009 32 nm 2011 22 nm 2014 14 nm 2016 10 nm 2017 10 nm 2018 10 nm? 2019 10 nm!
intel,технологии,hardware,новости
Еще на тему
Просто пока что не технологично.
Одно дело создать один прототип, другое дело создать миллион копий этого прототипа.
Удачи создать процессор на 3 nm. Когда квантовые эффекты перетягивают одеяло на себя. Будет такой себе вероятностный процессор.
транзисторы в 1нм в 2016ом году уже создавались
https://infocity.az/2016/10/%D1%83%D1%87%D1%91%D0%BD%D1%8B%D0%BC-%D1%83%D0%B4%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D1%81%D1%8C-%D0%BE%D1%81%D0%B2%D0%BE%D0%B8%D1%82%D1%8C-1-%D0%BD%D0%BC-%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%86%D0%B5%D1%81%D1%81/
https://overclockers.ru/hardnews/show/84122/issledovateli-iz-ssha-predstavili-tehprocess-s-normami-1-nm
1 нанометр это 10см в -7 степени.
Какое одеяло может перетягивать тенисный мяч летящий в пропасть?!
Не стоит забывать про пустоту в атомах и между ними(Гугл говорит, что атом золота это 1,66 в -8 см) а квантовые эффекты начинаются уже просто на атомарном уровне
Размер то у него может и шибко маленький да локализовать его в пространстве меньше атома вряд ли получится.
1 нм = 10 в -9 степени см. И да простить расположение см после 10 в отличии от ошибки всего в 100 раз я не в состоянии :)
потому-что кремний всех устраивает из-за определенной дешевизны.
далее идут технологии. например Samsung и Qualcomm (на мощностях TSMC) переходят на 7нм. А 10нм у них пройденный этап.
Опять же многое зависит от того, как каждый производитель считает этот техпроцесс. Где-то это величина элемента, где-то проводника (да еще и не каждого)
В заявлениях производителей о нанометрах много маркетинга. Измерение плотности транзисторов по размеру одного транзистора — не совсем корректная метрика.
Intel подсчитала, что в её 14 нм помещается на 23% больше транзисторов, чем в 14 нм у «других компаний». Такая разница образуется из-за меньшей высоты логической ячейки, меньшего расстояния между затворами и меньшего шага ребра (см. таблицу).
Шаг затвора (gate pitch, расстояние между затворами соседних транзисторов, включая ширину самих затворов) у Intel кардинально меньше, чем у других производителей. На 22-нанометровом техпроцессе оно было примерно таким же, как у конкурентов сейчас на 14/16 нм.
По шагу межсоединения (interconnect pitch, минимальное расстояние между слоями внутрисхемных соединений) у Intel нет такого кардинального преимущества, но всё равно конкуренты ещё не приблизились к показателю, которого Intel достигла уже на 14 нм.
Таким образом, «другие фабрики» достигнут «интеловской» плотности транизисторов с опозданием на три года: для этого им нужно внедрить техпроцесс 10 нм, чтобы сравняться с 14 нм у Intel (от себя: это, во всяком случае, по мнению Intel так).
Интересно ещё и то, что нынешняя многократно усовершенствованная технология 14 нм++ третьего поколения у Intel будет лучше, чем первые образцы микросхем на 10 нм. Компания сама признаётся в этом. Ничего не поделаешь — новые технологии ещё нужно обкатать и проверить. То есть фактическое улучшение технологии 14 нм++ мы можем ждать где-то в районе 2020 года, и надеяться тут можно только на Intel, потому что конкуренты технологически отстают, несмотря на заявленные планы 10 и 7 нм (опять же, повторим, это со слов Intel, а каково на самом деле технологическое отставание конкурентов и существует ли оно — неизвестно).
Интересно ещё и то, что нынешняя многократно усовершенствованная технология 14 нм++ третьего поколения у Intel будет лучше, чем первые образцы микросхем на 10 нм. Компания сама признаётся в этом. Ничего не поделаешь — новые технологии ещё нужно обкатать и проверить. То есть фактическое улучшение технологии 14 нм++ мы можем ждать где-то в районе 2020 года, и надеяться тут можно только на Intel, потому что конкуренты технологически отстают, несмотря на заявленные планы 10 и 7 нм (опять же, повторим, это со слов Intel, а каково на самом деле технологическое отставание конкурентов и существует ли оно — неизвестно).
Издание AnandTech собрало информацию ото всех крупных игроков полупроводниковой промышленности, которые планируют вложиться в модернизацию производства и строительство новых фабрик. Это компании GlobalFoundries (США), Intel (США), Samsung (Южная Корея), Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC, Китай), Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC, Тайвань) и United Microelectronics (UMC, Тайвань). Их планы на ближайшие годы можно суммировать в следующей таблице.
Так что вполне резонно, что если на данном этапе брака и так на выходе прилично, раз стали так активно пиарить pentium G и кричать что л3 кеш нафиг не нужен, то на новые высоты забираться лучше не спешить.
P.s. Год как сижу на Zen — те же яйца, вид в профиль.
Или ты считаешь, что все производители в мире сговорились прям специально не повышают частоту у процессоров?
Что касается "yoba системы охлаждения", меня Феном со "125-Вт в покое" не сильно напрягал, хватало дешёвого башенного кулера IceHammer IH-4400 с теплотрубками и вентилятором 120х120. Сам решай, ёба ли тратить 35 баксов на СО или нет.